Solcellelaboratoriet

I produksjonslinjen inngår alle prosesser som kreves for å fremstille ferdige solceller fra ubehandlede silisiumskiver. Den inneholder blant annet følgende utstyr:

• 2 våtbenker til etsing og rensing av silisium. Disse brukes til blant annet skadefjerning og teksturering av overflater. Infrastruktur rundt disse etsestasjonene er et vannrensingsanlegg med stor kapasitet for produksjon av ultrarent vann samt spinnere for skylling og tørking av silisiumskiver etter behandling.
• 2 kammere for plasmaassistert gassdeponering (PECVD). Det nyeste PECVD-kammeret (Oxford Instruments Plasmalab System133) kan deponere tynne filmer av bl.a. SiN, Si, dopet Si, SiC, SiGe og SiO med substrattemperatur på opp til 650˚C. I tillegg muliggjør et automatisk ladesystem å prosessere 25 silisiumwafere av gangen. Dette gir veldig stor fleksibilitet med høy kvalitet og reproduserbarhet. Det andre PECVD-kammeret brukes til deponering av amorft silisium og passiviserende lag samt behandling av solceller med hydrogenplasma.
• Sputtering-system for deponering av tynne filmer av gjennomsiktige ledende oksider (TCOer), metaller og andre materialer fra fast fase.
• 3 beltedrevne ovner. Den ene brukes hovedsakelig til diffusjon og gettering, den andre hovedsakelig til firing av kontakter, og den tredje til varmebehandling av skiver.
• Spinner for påføring av et tynt lag av en væske på en silisiumskive; dette laget kan f.eks. være en dopekilde eller en fotoresist.
• Helautomatisk sprayanlegg for påføring av diffusjonskilde til bruk for dannelse av emitter samt bak- og forsidefelter.
• 1 laser for kutting, kantisolering, drilling m.m. av skiver.
• Plasmaetser til blant annet bruk for kantisolering.
• 2 silketrykkere, hvorav den ene brukes til konvensjonell trykking og den andre til ”hot-melt”-trykking av kontakter.
• RTP (Rapid Thermal Processing)-enhet til bruk i prosesser der det er nødvendig med svært rask oppvarming (opp til 1100˚C) og nedkjøling i kontrollert atmosfære, f.eks. for å oksidere overflaten til silisium med minimal påvirkning av materialet ellers.